IGBT 31NAB12T49

IGBT 31NAB12T49 – Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT 31NAB12T49 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Промышленные приводы
• Электроприводы (например, в электромобилях)
• Сварочное оборудование

Этот IGBT обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с быстрым восстановлением диода | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 31 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 62 А (макс.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW40N120T2, IKW30N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120

Совместимые модули (если используется в составе сборки):

• SEMIKRON: SKM300GB12T4
• Powerex (Mitsubishi): CM300DY-12NF
• Infineon: FF300R12KT4

Примечание:

Перед заменой IGBT 31NAB12T49 на аналог проверьте:

• Соответствие напряжения и тока
• Скорость переключения
• Распиновку и корпус

Если вам нужна точная замена, лучше искать оригинальный номер или сверяться с даташитом производителя.

Если у вас есть дополнительные вопросы по применению или аналогам – уточните!