IGBT 32NAB12T7

Описание IGBT модуля 32NAB12T7

32NAB12T7 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и надежную изоляцию.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 32 А
• Пиковый ток коллектора (I_CM): 64 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~150 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,35 °C/Вт

Параметры переключения:

• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Время восстановления диода (t_rr): ~100 нс

Температурный режим:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические характеристики:

• Тип корпуса: модульный (обычно NGB или аналогичный)
• Крепление: винтовое или зажимное
• Изоляция: 2500 В (между базой и радиатором)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4, FF75R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120, 2MBI50U2A-120
• Mitsubishi: CM100DY-12T, CM75DY-12T
• SEMIKRON: SKM100GB12T4, SKM75GB12T4

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXYS: IXGH32N120B3
• STMicroelectronics: STGW32NC120KD

Другие совместимые модели (частично):

• IR (Infineon): IRG4PH40UD
• Toshiba: MG100Q2YS40

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если вам нужна точная замена, лучше проверить datasheet конкретного производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.