IGBT 36NAB126V1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 36NAB126V1
Описание IGBT модуля 36NAB126V1
36NAB126V1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом обратного хода (антипараллельный диод), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.
Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и эффективное охлаждение благодаря изолированному основанию.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + Diode (NPT) | | Макс. напряжение (Vces) | 1200 В | | Ном. ток (Ic @ 25°C) | 36 А | | Импульсный ток (Icm) | 72 А | | Мощность (Ptot) | 200 Вт (при 25°C) | | Падение напряжения (Vce(sat)) | 2.1 В (тип.) при Ic=36A, Vge=15В | | Диод обратного хода | Встроенный (Freewheeling Diode) | | Напряжение диода (Vf) | 1.8 В (тип.) | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) | | Монтаж | Винтовые клеммы | | Вес | ~100 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Sanken: 36NAB126V1 (оригинал)
- Mitsubishi: CM75DY-12H (75A, 1200V) – с запасом по току
- Fuji Electric: 6MBP50RA120 (50A, 1200V)
- Infineon: FF75R12RT4 (75A, 1200V)
- SEMIKRON: SKM75GB12T4 (75A, 1200V)
Совместимые модели в схемах:
- Семейство 36NAB* (например, 36NAB60V1, 36NAB150V1 – с другими напряжениями/токами)
- Серия SKM75GB* от SEMIKRON
- Модули Mitsubishi CM* и Fuji 6MBP***
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- ИБП и солнечные инверторы
Примечание
Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в управляющих сигналах и тепловых параметрах.
Если нужна точная замена, лучше использовать оригинальный модуль 36NAB126V1 или аналоги от Sanken с аналогичными параметрами.