IGBT 4063PBF

Описание IGBT 4063PBF

IGBT 4063PBF – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от производителя Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для использования в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных и автомобильных приложениях

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А (макс.) | | Пиковый ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,55 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-контактный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (Infineon и другие производители):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 600 В, 40 А)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650 В, 60 А)
• HGTG20N60B3 (STMicroelectronics, 600 В, 40 А)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS, 600 В, 75 А)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRGP4063DPBF (Infineon, 600 В, 75 А)
• NGTB40N60S3WG (ON Semiconductor, 600 В, 75 А)
• APT60GF60B2G (Microsemi, 600 В, 60 А)

Примечание

При замене IGBT 4063PBF на аналог важно учитывать:

• Рабочее напряжение и ток нагрузки
• Тепловые характеристики (корпус и охлаждение)
• Время переключения (особенно в высокочастотных схемах)

Рекомендуется проверять datasheet перед заменой.