IGBT 50Z-100

Описание IGBT-модуля 50Z-100

Тип: Высоковольтный IGBT-модуль с диодом обратного хода
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.
Особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод
• Хорошая температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Рабочая температура (T_j) | -40…+150 °C | | Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• 50Z-100 (базовая модель)
• 50Z100 (альтернативное написание)
• CM50Z-100 (версия от некоторых производителей)

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: FF50R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI50U-100
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB100
• IXYS: IXGH50N100

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики.
• Рекомендуется использовать оригинальные или сертифицированные аналоги.
• Уточняйте параметры в даташите производителя, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Если вам нужен более точный аналог, укажите производителя и сферу применения.