IGBT 5NGD8201N

Описание IGBT модуля 5NGD8201N

5NGD8201N — это IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (Reverse Conducting IGBT, RC-IGBT) от Infineon Technologies. Он предназначен для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль сочетает в себе IGBT и антипараллельный диод в одном корпусе, что упрощает конструкцию и повышает надежность системы.

Основные области применения:

• Промышленные приводы
• Солнечные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные источники питания

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------| | Тип модуля | RC-IGBT (Reverse Conducting IGBT) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 820 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | до 1640 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 3120 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 100 нс | | Время выключения (t_off) | 650 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,03 K/W | | Корпус | 62 мм (EconoDUAL 3) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• 5NGD8201N170 (версия с улучшенными характеристиками)
• 5NGD8201N170SL (с низкими потерями)

Совместимые модели от других производителей:

• FZ8201R17KE3 (Fuji Electric)
• CM820DY-24S (Mitsubishi Electric)
• FF800R12IE4 (Infineon, альтернатива с похожими параметрами)

Замены с учетом распиновки:

• 5SNA 1200G450300 (ABB, требует проверки схемы)
• SKM800GB128D (Semikron, с аналогичным током и напряжением)

Примечания по замене

• Перед заменой проверьте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Учитывайте условия охлаждения, так как тепловые параметры могут отличаться.

Если нужна более точная информация по конкретному применению, уточните параметры системы (напряжение, ток, частоту переключений).