IGBT 6BMI75VW-060-50

Описание IGBT модуля 6BMI75VW-060-50

Модуль 6BMI75VW-060-50 — это IGBT-транзистор с диодом обратного хода (Freewheeling Diode), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошее охлаждение и простоту монтажа.

Основные технические характеристики

IGBT-транзистор:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 150 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~ 1,8 В (при 75 А)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до +150°C

Диод обратного хода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Номинальный прямой ток (I_F): 75 А

Управление:

• Напряжение управления затвором (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение (V_GE(th)): 5–6 В

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги (полные замены):

• Fuji Electric:
  • 6MBP75RA060
  • 6MBP75RA060-50
• Infineon:
  • FF75R06KE3
  • FF75R06KE3G
• Mitsubishi:
  • CM75DY-24H

Частично совместимые (требуется проверка схемы):

• IR (Infineon): IRG7PH35UD1
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужно уточнить параметры для конкретного применения, укажите условия эксплуатации.