IGBT 6MBP100RA120

Описание IGBT-модуля 6MBP100RA120

6MBP100RA120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль имеет компактную конструкцию с интегрированными диодами обратного хода (FRD), что упрощает проектирование силовых схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (6-in-1) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток IC | 100 А (при 25°C) | | Макс. ток IC (пиковый) | 200 А | | Напряжение насыщения VCE(sat) | ~1.8 В (тип.) | | Время включения/выключения (ton/toff) | ~100 нс / ~400 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.15 °C/W | | Корпус | 6MBP (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 6MBP100RA060 (600 В, 100 А)
• 6MBP150RA120 (1200 В, 150 А)
• 6MBP50RA120 (1200 В, 50 А)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF300R12KT4 (1200 В, 300 А) – более мощный аналог
• Mitsubishi Electric: CM100DY-24H (1200 В, 100 А)
• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (1200 В, 100 А)

Примечания

• Модуль требует эффективного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы с напряжением затвора 15–18 В для оптимального управления.
• При замене на аналог важно учитывать распиновку и тепловые параметры.

Если нужна дополнительная информация (например, схема подключения или графики характеристик), уточните запрос!