IGBT 6MBP25VBA120-50

Артикул: 296298
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBP25VBA120-50
Описание IGBT модуля 6MBP25VBA120-50
Модуль 6MBP25VBA120-50 — это IGBT-транзистор с обратным диодом (NPT IGBT + FRD), предназначенный для использования в импульсных преобразователях, инверторах, частотных приводах и других силовых электронных устройствах. Производитель — Mitsubishi Electric.
Модуль выполнен в стандартном 6-выводном корпусе, обеспечивает высокую эффективность и надежность в условиях высоких токов и напряжений.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Тип модуля: IGBT + диод (2 в 1)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (IC): 25 А (при 25°C)
- Импульсный ток (ICP): 50 А
- Мощность рассеивания (PD): 150 Вт
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,5 В (тип.)
- Время включения (ton): 0,3 мкс
- Время выключения (toff): 1,2 мкс
Характеристики встроенного диода:
- Максимальное обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 25 А
- Время восстановления (trr): 150 нс
Тепловые параметры:
- Температура перехода (Tj): -40°C ... +150°C
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,5 °C/Вт
Механические параметры:
- Корпус: 6MBP (изолированный)
- Монтаж: винтовой
- Вес: ~50 г
Парт-номера и совместимые модели
Аналогичные модули Mitsubishi Electric:
- 6MBP25VBA060-50 (600 В, 25 А)
- 6MBP25VBA120-50 (1200 В, 25 А)
- 6MBP25VBA120-50-02 (модификация с улучшенными характеристиками)
Совместимые аналоги других производителей:
- Infineon: FF25R12KT3 (1200 В, 25 А, NPT IGBT)
- Fuji Electric: 6MBP25RA120 (1200 В, 25 А)
- SEMIKRON: SKM25GB12T4 (1200 В, 25 А, IGBT модуль)
Cross-reference (кросс-совместимость):
- STMicroelectronics: STGW25H120DF2 (1200 В, 25 А, дискретный IGBT)
- Toshiba: MG25Q2YS40 (1200 В, 25 А)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- ИБП и солнечные инверторы
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.