IGBT 7MBP25VDA120-50

Описание IGBT модуля 7MBP25VDA120-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: 7MBP
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) + диодный модуль
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------------------------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 80°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 50 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0.3 мкс |
| Время выключения (t_off) | 1.2 мкс |
| Температура хранения | -40°C до +125°C |
| Рабочая температура | -25°C до +150°C |
| Тип корпуса | 7-контактный, модульный |
| Вес | ~50 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi Electric: 7MBP25VDA120-50 (оригинал)
• Fuji Electric: 2MBI25U2A-120
• Infineon: FF25R12KT3
• SEMIKRON: SKM25GB12T4

Совместимые модули в этой серии:

• 7MBP25VSA120-50 (свободный диод)
• 7MBP25VTA120-50 (доп. функции защиты)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Электроприводы

Если нужны дополнительные данные (например, схема включения или параметры диода), уточните!