IGBT 7MBP50RA-120

Описание IGBT-модуля 7MBP50RA-120

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны аналоги от других брендов)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT)
Назначение: Преобразование энергии в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Основные технические характеристики:

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
3. Импульсный ток (I_CP): до 100 А
4. Мощность рассеяния (P_tot): ~200 Вт (зависит от условий охлаждения)
5. Скорость переключения: Высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц)
6. Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25 °C/Вт
7. Корпус: Стандартный 7M-модуль (изолированный, с винтовыми клеммами)
8. Встроенные компоненты:
   • Быстрый антипараллельный диод (FRD)
   • Температурный датчик (NTC) в некоторых версиях

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• 7MBP50RA060 (600V версия)
• 7MBP75RA120 (75A / 1200V)
• 7MBP100RA120 (100A / 1200V)

Совместимые модели других брендов:

• Infineon: FF50R12RT4
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI50S-120
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Применяемость:

Модуль подходит для замены в:

• Частотных преобразователях (например, Mitsubishi FR-A700, FR-F700)
• Сварочных инверторах
• Промышленных приводах и UPS

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку и параметры в datasheet, так как аналоги могут отличаться по характеристикам.
• Рекомендуется использовать термопасту и радиатор с прижимной пластиной для эффективного охлаждения.

Если нужны дополнительные данные (графики, точные параметры), уточните — предоставлю подробности!