IGBT 7MBP75RA120-55

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 7MBP75RA120-55

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Конфигурация: 2 в 1 (два IGBT + два диода в одном корпусе)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, источники питания, промышленные приводы.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CP) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_C) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 0,3 мкс | | Время выключения (t_off) | 1,0 мкс | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +125°C | | Корпус | 7MBP (изолированный, с термодатчиком) |

Совместимые модули и парт-номера

Аналоги от Mitsubishi Electric (замена):

• 7MBP75RA060-55 (600 В, 75 А)
• 7MBP100RA120-55 (1200 В, 100 А)
• 7MBP50RA120-55 (1200 В, 50 А)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI75U4B-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Применение и особенности:

• Подходит для инверторов мощностью до 30–50 кВт.
• Имеет встроенный NTC-термистор для контроля температуры.
• Оптимизирован для высокочастотных преобразователей.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!