IGBT A50L-0001-0299

Описание и технические характеристики IGBT A50L-0001-0299

IGBT A50L-0001-0299 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и силовых преобразовательных устройств. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных приложениях.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В (или уточнённое значение) | | Максимальный ток (I_C) | 50 А (или уточнённое значение) | | Максимальный импульсный ток (I_CP) | 100 А (или уточнённое значение) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200–300 Вт (зависит от корпуса) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или TO-3P, уточнить) |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• A50L-0001-0300 (возможна другая ревизия)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Примечание:

Указанные параметры могут отличаться в зависимости от производителя и ревизии модуля. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты конкретных моделей.

Если у вас есть дополнительные данные (например, производитель или сфера применения), их можно уточнить для более точного описания.