IGBT A50L-0001-0375

Описание IGBT A50L-0001-0375

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) A50L-0001-0375 – это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT модуль (N-канальный) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток коллектора при 100°C (I_C @100°C) | 30 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 25 А) |
| Входная емкость (C_ies) | 5000 пФ |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт |
| Макс. температура перехода (T_j) | 150 °C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный модульный) |
| Тип изоляции | С гальванической развязкой |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120BN (Microsemi)
• IXGH50N120B3 (IXYS)
• STGW50NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены в схемах, где применяются IGBT с аналогичными параметрами (1200 В, 50 А).
• Используется в инверторных блоках, таких как Siemens Sinamics, Danfoss VLT, ABB ACS, Yaskawa A1000 и др.

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужны уточнённые данные по конкретному производителю или даташит, сообщите – помогу найти!