IGBT BSM100GB120DN2K

Описание IGBT модуля BSM100GB120DN2K

BSM100GB120DN2K – это двухканальный IGBT-модуль (DUAL) с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 100 А. Модуль разработан для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Основные особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости.
• Встроенный диод обратного хода (FRD) для защиты от перенапряжений.
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии.
• Оптимизирован для работы с высокими частотами переключения.

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 100 А
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 70 А
• Пиковый ток (I_CM): 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 330 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс

Параметры встроенного диода (FRD):

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Термические характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 К/Вт
• Корпус: MiniSKiiP или аналогичный с изолированной базой

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера от Infineon:

• BSM100GB120DN2 (устаревший аналог)
• BSM100GAL120DN2 (с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi CM100DY-24H
• Fuji 2MBI100U4B-120
• SEMIKRON SKM100GB12T4
• IXYS IXGN100N120B3

Эти модули могут использоваться в схожих схемах, но перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните!