IGBT bsm100gb170dn2

Описание IGBT BSM100GB170DN2

BSM100GB170DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых применений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электроприводами.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Производитель: Infineon Technologies
• Тип модуля: IGBT + диод (Half-Bridge)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1700 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 100 А
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 70 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 90 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры встроенного диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1700 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Падение напряжения (V_F): 1,8 В

Механические характеристики:

• Корпус: 62 мм (ModSTACK)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и парт-номера:

• Infineon: BSM100GB170DN2E (улучшенная версия)
• Semikron: SKM100GB176D
• Fuji Electric: 2MBI100X-170
• Mitsubishi: CM100DY-24H

Совместимые модели (по характеристикам):

• BSM75GB170DN2 (75A, 1700V)
• BSM150GB170DN2 (150A, 1700V)
• SKM100GB128D (Semikron, 1200V)
• 2MBI100V-170 (Fuji, 1700V)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Тяговые преобразователи
• Системы управления двигателями

Если нужны дополнительные данные (графики, параметры при других температурах), уточните!