IGBT bsm15gd120d

Описание IGBT модуля BSM15GD120D

BSM15GD120D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль содержит два IGBT-транзистора с диодами обратного хода (антипараллельные диоды), что делает его подходящим для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и других высоковольтных приложений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Двухключевой (Dual) IGBT с диодами |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 15 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 30 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при 15 А) |
| Скорость переключения (t_on / t_off) | ~60 нс / ~320 нс |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 100 Вт |
| Температурный диапазон | -40°C до +150°C |
| Корпус | 29 × 12,5 × 6 мм (Mini-DIP) |
| Входная емкость (C_ies) | ~1800 пФ |

Диоды обратного хода (FWD)

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В |
| Прямой ток (I_F) | 15 А |
| Падение напряжения (V_F) | ~1,8 В |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon: BSM15GP120 (более старая версия)
• Fuji Electric: 2MBI15U4B-120
• Mitsubishi: CM15DY-12H

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки и параметров):

• SEMIKRON: SKM15GB120D
• ON Semiconductor: NGGB15N120FL2WG

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более подробная информация (например, графики характеристик или рекомендации по охлаждению), уточните запрос!