IGBT BSM200GA120DLC

Описание IGBT модуля BSM200GA120DLC

BSM200GA120DLC — это IGBT-модуль второго поколения, разработанный компанией Infineon Technologies (ранее Siemens Semiconductors). Модуль предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы и преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в стандартном корпусе 62 мм (BSM), обеспечивает высокую надежность и эффективность благодаря использованию технологии NPT IGBT (Non-Punch Through).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 200 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 870 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 К/Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 110 нс
• Время выключения (t_off): 500 нс
• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Время восстановления (t_rr): 250 нс

Габариты и монтаж:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Крепление: винтовое (M6)
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от Infineon:

• BSM200GB120DLC (более новая версия с улучшенными параметрами)
• BSM150GB120DLC (150 А, 1200 В)
• BSM300GB120DLC (300 А, 1200 В)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM200DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• SEMIKRON: SKM200GB128D
• IXYS: IXGH200N120B3

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Тип корпуса и способ охлаждения
• Наличие встроенного диода
• Время переключения и потери

Модуль BSM200GA120DLC является устаревшим, но его можно заменить на более современные версии (например, BSM200GB120DLC или аналоги других брендов).

Если требуется помощь в подборе замены, уточните параметры вашей схемы.