IGBT BSM200GA170DN2

Описание IGBT модуля BSM200GA170DN2

BSM200GA170DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, частотно-регулируемых приводах (ЧРП), инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других силовых преобразователях.

Модуль выполнен в стандартном корпусе 62 мм, имеет низкие потери проводимости и переключения, а также встроенный свободно-колебательный диод (FRD) для защиты от обратного напряжения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | SEMIKRON |
| Корпус | 62 мм (BSM) |
| Тип модуля | IGBT + диод |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 200 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 400 А |
| Мощность (P_tot) | 1200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 85 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Напряжение изоляции (V_iso) | 4000 В (RMS) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от SEMIKRON:

• BSM200GB170DN2 (аналог с улучшенными характеристиками)
• BSM150GB170DN2 (150 А, 1700 В)
• BSM300GB170DN2 (300 А, 1700 В)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R17KE4
• Mitsubishi Electric: CM200DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-170

Совместимые модули в других корпусах:

• SEMiX серия (SEMIKRON)
• EconoDUAL (Infineon)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Установки возобновляемой энергетики (солнечные инверторы)

Если нужны дополнительные данные по заменам или схемам подключения, уточните!