IGBT BSM50GAL120DN2

Описание и технические характеристики IGBT модуля BSM50GAL120DN2

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль (NPT, TrenchStop)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 50 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 100 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 60 нс (тип.)
• Время выключения (t_off): 320 нс (тип.)
• Встроенный диод (FRD): Да, ультрабыстрый
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 6 В

Тепловые параметры:

• Максимальная рабочая температура перехода (T_j): +150°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,45 К/Вт

Механические параметры:

• Корпус: 34 мм (SEMITOP 2)
• Монтаж: Винтовое крепление
• Изоляция: Полная гальваническая развязка (2500 В)

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (Infineon):

• BSM50GA120DN2 (близкий аналог, возможны небольшие различия в характеристиках)
• BSM50GB120DN2 (с улучшенными динамическими характеристиками)

Аналоги других производителей:

• SKM50GB12T4 (Semikron)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)
• FZ50R12KE3 (Fuji Electric)

Похожие модули (с другими параметрами):

• BSM75GAL120DN2 (75 А, 1200 В)
• BSM35GAL120DN2 (35 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос.