IGBT BSM50GB100

Описание IGBT BSM50GB100

BSM50GB100 — это мощный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в компактном корпусе и содержит два IGBT с антипараллельными диодами, что делает его идеальным для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых электронных систем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (NPT) + диод (FRD) |
| Конфигурация | Два IGBT в полумосте (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 100 нс |
| Время выключения (t_off) | 500 нс |
| Диодное прямое напряжение (V_F) | 1.7 В (тип.) |
| Температура эксплуатации | -40°C ... +125°C |
| Корпус | 28-выводной, модульный (BSM) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• Infineon: BSM50GB100DLC
• Eupec (Infineon): BSM50GB100DN2
• Siemens: BSM50GB100 (устаревшая маркировка)

Совместимые/аналогичные модели

• BSM50GB120DN2 (1200 В, 50 А)
• BSM75GB100DLC (1000 В, 75 А)
• BSM35GB120DLD (1200 В, 35 А)
• FF50R12RT4 (Infineon, 1200 В, 50 А)
• CM50DY-12H (Mitsubishi, 1200 В, 50 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Модуль BSM50GB100 отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленной и силовой электронике. При замене рекомендуется проверять схему подключения, так как аналоги могут иметь различия в характеристиках.

Если нужны дополнительные параметры (графики, термическое сопротивление и т. д.), уточните запрос!