IGBT BSM50GB100D
IGBT BSM50GB100D — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение BSM50GB100D, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BSM50GB100D
Описание IGBT модуля BSM50GB100D
BSM50GB100D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в силовой электронике. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.
Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую термостабильность и надежную изоляцию между элементами.
Основные технические характеристики
Общие параметры
| Параметр | Значение |
|------------------------------|------------------------|
| Производитель | Infineon / Eupec |
| Тип модуля | IGBT + Diode (2 в 1) |
| Конфигурация | Один полумост (Half-Bridge) |
| Корпус | BSM (34 мм × 87 мм) |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
IGBT характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------------|------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1000 В |
| Макс. ток коллектора (IC) | 75 А (при 25 °C) |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (при 50 А) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 300 нс |
Диодные характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------------|------------------------|
| Макс. обратное напряжение (VRRM) | 1000 В |
| Макс. прямой ток (IF) | 75 А |
| Падение напряжения (VF) | 1,8 В (при 50 А) |
Тепловые параметры
| Параметр | Значение |
|------------------------------|------------------------|
| Тепловое сопротивление (переход-корпус) (RthJC) | 0,25 К/Вт |
| Тепловое сопротивление (переход-среда) (RthJA) | 0,8 К/Вт |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и эквиваленты от других производителей
- Mitsubishi: CM75DY-12H (аналогичные параметры)
- Fuji Electric: 2MBI100N-100
- SEMIKRON: SKM75GB100D
Рекомендуемые замены (с проверкой распиновки!)
- BSM50GB120D (1200 В, но близкие параметры)
- BSM75GB100D (75 А, совместим по корпусу)
Применение
- Промышленные инверторы
- Частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
Если требуется модуль с более высоким током или напряжением, можно рассмотреть аналоги BSM75GB100D или BSM50GB120D.
Нужна дополнительная информация? Готов помочь!
Дополнительная информация
IGBT BSM50GB100D предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — BSM50GB100D. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.
#IGBT #IGBTМодуль #BSM50GB100D #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов