IGBT BSM50GD120DN2G

Описание IGBT модуля BSM50GD120DN2G

BSM50GD120DN2G – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (half-bridge) конфигурации.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты (ЧРП, VFD)
• Инверторы и импульсные источники питания
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики BSM50GD120DN2G

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) (при 80°C) | 30 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 50 А) |
| Мощность потерь (P_tot) | 300 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц) |
| Корпус | 34 мм (SEMITRANS 2) |
| Встроенные диоды | Да (NTC-термистор для мониторинга температуры) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM50GD120DN2 (предыдущая версия без "G" в конце)
• BSM50GB120DN2 (аналог с другим корпусом)
• BSM75GD120DN2 (75 А, 1200 В, аналогичный форм-фактор)

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H (50A, 1200V, полумост)
• Fuji Electric: 2MBI50U4B-120 (50A, 1200V)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (50A, 1200V)

Примечания

• Модуль требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как могут быть различия в управляющих напряжениях и характеристиках встроенных диодов.
• Для точного подбора аналога можно использовать платформы типа Octopart или FindChips.

Если нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните запрос!