IGBT BSM50GX120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BSM50GX120
Описание IGBT модуля BSM50GX120
BSM50GX120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства SEMIKRON, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль оснащен встроенным диодом обратной проводимости (антипараллельный диод), что обеспечивает надежную работу в импульсных режимах.
Корпус модуля SEMiX обеспечивает хорошие тепловые и электрические характеристики, а также удобство монтажа на радиатор.
Технические характеристики BSM50GX120
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 50 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (ICM) | 100 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 2,1 В (при 50 А) | | Время включения (ton) | 45 нс | | Время выключения (toff) | 300 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,30 К/Вт | | Корпус | SEMiX 2 (17-контактный) |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные парт-номера SEMIKRON:
- BSM50GX120DN2 (полное обозначение с указанием серии)
Совместимые модели/аналоги от других производителей:
- Infineon: FF50R12RT4
- Mitsubishi: CM50DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI50X-120
- IXYS (Littelfuse): MIXA50WB1200T
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Системы управления двигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и электрические параметры. Некоторые аналоги могут отличаться по тепловым характеристикам или корпусу.
Нужна дополнительная информация? Готов помочь!