IGBT BSM75GAL120D

Описание IGBT модуля BSM75GAL120D

BSM75GAL120D – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge), что позволяет эффективно коммутировать высокие токи и напряжения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | 34 мм (SEMiX 2) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon BSM75GB120D (аналог с улучшенными характеристиками)
• Fuji Electric 2MBI75L-120
• Mitsubishi CM75DY-12H

Совместимые модули (по характеристикам и корпусу):

• SEMIKRON SKM75GB12T4
• IXYS MBI75-12A

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Модуль BSM75GAL120D обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовой электронике благодаря низким потерям при переключении и хорошему тепловому режиму.

Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть BSM75GB120DN2 (с улучшенными динамическими характеристиками).