IGBT BSM75GAR120DN2

Описание IGBT модуля BSM75GAR120DN2

BSM75GAR120DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства SEMIKRON или другого ведущего производителя силовой электроники. Данный модуль предназначен для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Модуль имеет двойную структуру (Dual), что означает наличие двух IGBT-транзисторов с обратными диодами (обычно в конфигурации полумоста). Он обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (Dual) |
| Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при номинальном токе) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный модуль (например, SEMiX 4) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• SEMIKRON: BSM75GB120DN2, BSM75GAL120DN2
• INFINEON: FF75R12RT4, FF75R12KE3
• MITSUBISHI: CM75DY-12S
• FUJI: 2MBI75L-120

Рекомендуемые замены с учетом характеристик:

• Если требуется точная замена, лучше использовать модули с такими же параметрами (1200 В, 75 А, Dual).
• Для апгрейда можно рассмотреть аналоги с большим током (например, BSM100GAR120DN2).

Применение

• Силовые инверторы
• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• ИБП и системы электропитания
• Управление электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация (например, схема подключения или datasheet), уточните производителя (SEMIKRON, Infineon и др.), так как номенклатура может отличаться.