IGBT BSM75GB120DN1E3204

Описание IGBT модуля BSM75GB120DN1E3204

BSM75GB120DN1E3204 – это IGBT-модуль второго поколения (NPT, Non-Punch Through) с номинальным током 75 А и напряжением 1200 В. Модуль выполнен в корпусе SEMiX® 4 (четырехключевая топология: 2 вверх, 2 вниз), что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей и других силовых приложений.

Модуль оснащен встроенным NTC-термистором для контроля температуры, а также имеет низкие потери проводимости и коммутации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT (NPT) + диод | | Конфигурация | Полумост (2x IGBT + 2x диод) | | Макс. напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC @100°C) | 75 А | | Импульсный ток (ICM) | 150 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 60 нс | | Время выключения (toff) | 320 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 К/Вт (IGBT) / 0,45 К/Вт (диод) | | Корпус | SEMiX® 4 (34 мм x 96 мм x 17 мм) | | Вес | ~190 г | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Термодатчик | NTC (10 кОм при 25°C) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги от Infineon

• BSM75GB120DN2 (обновленная версия)
• BSM75GD120DN2 (аналог с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели других производителей

• Fuji Electric: 2MBI75U4B-120 (полумост, 75 А, 1200 В)
• Mitsubishi: CM75DY-24H (аналог по току и напряжению)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (схожий модуль в корпусе SEMiX 4)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль BSM75GB120DN1E3204 сочетает в себе надежность и высокую эффективность, что делает его популярным в промышленной электронике.

Если нужна дополнительная информация или схемы подключения – уточните!