IGBT BSM75GP60

Описание IGBT модуля BSM75GP60

BSM75GP60 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в корпусе SEMITRANS 2, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики. Встроенные быстрые диоды позволяют использовать его в мостовых и полумостовых схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,7 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 180 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | SEMITRANS 2 |
| Конфигурация | 2 модуля в одном (полумост) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM75GB60DLC (с улучшенными характеристиками)
• BSM100GP60 (100 А, 600 В)
• BSM50GP60 (50 А, 600 В)

Аналоги от других производителей:

• FGA75N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY-24H (Mitsubishi Electric)
• MG75Q1US41 (Toshiba)

Применяемость и замена

Модуль BSM75GP60 можно заменять на аналоги с близкими параметрами по току и напряжению (например, BSM100GP60 при необходимости большего тока). Однако перед заменой следует проверять распиновку и тепловые характеристики.

Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть модули с технологией TrenchStop (например, IKW75N60T от Infineon).

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам применения – уточните, и я помогу!