IGBT CM100DU-34H

Описание и технические характеристики IGBT CM100DU-34H

Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Производитель: Mitsubishi Electric (возможны аналоги от других производителей)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 80°C | 100 А | | Импульсный ток (I_CP) | 200 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,8 В (при I_C = 100 А) | | Время включения (t_on) | 0,3 мкс | | Время выключения (t_off) | 1,2 мкс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,21 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Тип корпуса | 2 в 1 (Dual IGBT + Diode) | | Конфигурация модуля | Полумост (Half-Bridge) |

Парт-номера и аналоги:

• Mitsubishi Electric: CM100DU-34H
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: FF100R12KE3
  • SEMIKRON: SKM100GB128D
  • Fuji Electric: 2MBI100U4A-170
  • IXYS (Littelfuse): MIXA100PA1700HD

Совместимые модели:

1. Mitsubishi Electric:
   • CM100DY-34H
   • CM100DU-24H (1200 В, 100 А)
   • CM150DU-34H (150 А, 1700 В)
2. Infineon: FF150R12KE3 (150 А аналог)
3. SEMIKRON: SKM150GB128D (150 А аналог)

Примечание:

• При замене на аналог необходимо учитывать характеристики корпуса, распиновку и параметры встроенного диода.
• Рекомендуется проверять datasheet перед установкой альтернативной модели.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!