IGBT CM150E3Y12E

Описание IGBT CM150E3Y12E

IGBT-модуль CM150E3Y12E производства Mitsubishi Electric — это высоковольтный силовой транзистор с диодом обратного восстановления (FRD), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других мощных электронных устройствах.

Модуль выполнен в стандартном корпусе и обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую температурную стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT + FRD (Freewheeling Diode) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 80°C) | | Пиковый ток (I_CP) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 90 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Диод обратного восстановления (FRD) | Встроенный | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.18 °C/W | | Корпус | 7-контактный (стандартный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• CM150DY-12E (аналог с похожими характеристиками)
• CM150DY-12S (с улучшенными параметрами переключения)
• CM150E3U-12E (альтернативная версия с другим корпусом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• Semikron: SKM150GB12T4
• Hitachi: MBN150E12

Области применения

• Промышленные частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями
• Сварочные инверторы
• Солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по замене или спецификациям, уточните условия эксплуатации (охлаждение, токи, напряжение).