IGBT CM150E3Y24E

Описание IGBT CM150E3Y24E

IGBT CM150E3Y24E – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Номинальный ток коллектора (I_C = 150 А)
• Встроенный диод обратного хода (FWD)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А | | Ток коллектора (импульсный) | 300 А | | Макс. напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 150 А) | | Время включения (t_on) | 0,2 мкс | | Время выключения (t_off) | 0,8 мкс | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric (парт-номера):

• CM150DY-24E
• CM150DY-24F
• CM150DY-24S

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Эти модули имеют схожие характеристики по напряжению, току и корпусу, но перед заменой рекомендуется проверять документацию на соответствие параметрам.

Если требуется замена, важно учитывать:

• Напряжение и ток
• Тип корпуса и монтажные отверстия
• Встроенные функции (например, наличие температурного датчика)

Для точного подбора аналога лучше использовать даташиты или консультироваться с поставщиком.