IGBT CM50MD-12H

Описание IGBT CM50MD-12H

CM50MD-12H – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) на напряжение 1200 В и ток 50 А, предназначенный для мощных преобразователей частоты, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации. Корпус обеспечивает хорошее охлаждение и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|--------------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2 IGBT + 2 диода) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А |
| Ток при перегрузке (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (типовое, при номинальном токе) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.35 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный модульный (изолированный) |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• CM50MD-12H (оригинальная маркировка)
• CM50MD12H (альтернативное написание)

Совместимые модели и аналоги:

• Mitsubishi: CM50DY-12H (похожие параметры, но другой корпус)
• Fuji Electric: 2MBI50N-120 (аналог от Fuji)
• Infineon: FF50R12RT4 (возможная замена, но требует проверки распиновки)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (полумостовой модуль с аналогичными характеристиками)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить распиновку и параметры с документацией производителя.