IGBT CM50TF-12E

Описание IGBT модуля CM50TF-12E

CM50TF-12E – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, инверторах, частотных приводах и системах управления электродвигателями.

Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам. Корпус Transfer-Mold обеспечивает хорошую термостойкость и защиту от внешних воздействий.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_C) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 0,12 мкс | | Время выключения (t_off) | 0,55 мкс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | 2 in 1 (два IGBT + два диода) | | Встроенный быстрый диод | Да (FRD) | | Тип изоляции | Гальваническая изоляция |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• CM50DY-12E (аналог с аналогичными параметрами)
• CM50DY-12H (более новая версия)
• CM50TF-12H (модернизированный вариант)

Совместимые аналоги других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для электроприводов
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания

Если требуется замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по напряжению и току.