IGBT CM75E3U-12E

Описание IGBT модуля CM75E3U-12E

CM75E3U-12E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных силовых приложений. Модуль используется в преобразователях частоты, инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП), промышленных приводах и других системах управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение (1200 В) и высокий ток (75 А).
• Низкие потери проводимости и переключения.
• Встроенный диод обратного восстановления (FRD).
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.
• Высокая надежность и долговечность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|--------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | ~2.1 В |
| Время включения (t_on) | ~55 нс |
| Время выключения (t_off) | ~320 нс |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Корпус | 2 в 1 (два IGBT + два диода) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.35 °C/W |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера Mitsubishi Electric:

• CM75E3U-12H (более новая версия)
• CM75E3U-12F (предыдущая ревизия)
• CM75DY-12E (похожий модуль, но другая компоновка)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI75U2C-120
• Semikron: SKM75GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA75PA1200T

Cross-reference:

При замене следует учитывать:

• Напряжение (1200 В)
• Ток (75 А)
• Корпус (размеры и расположение выводов)
• Наличие встроенного диода

Применение

Модуль CM75E3U-12E используется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Электроприводах
• Солнечных инверторах
• ИБП и системах резервного питания

Если вам нужна более точная информация по замене, уточните параметры вашей схемы (напряжение, ток, тепловой режим).