IGBT CVM75AA80

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CVM75AA80
Описание IGBT модуля CVM75AA80
CVM75AA80 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высокой мощностью, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD) в одном корпусе, обеспечивая компактное и надежное решение для управления высокими токами и напряжениями.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 800 В |
| Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 75 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 150 А |
| Мощность рассеяния (Ptot) | 250 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1,8 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~150 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | Модульный (изолированный) |
| Количество ключей | 1 (один IGBT + диод) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены
- IXYS VUM75-08E
- Infineon FF75R12RT4
- Mitsubishi CM75DY-24H
- Fuji Electric 2MBI75N-080
- Semikron SKM75GB128D
Парт-номера производителя (Cross Reference)
- Powerex CM75AA80
- Mitsubishi CM75AA80 (возможен вариант той же серии)
Применение
- Частотные преобразователи
- Инверторы для электродвигателей
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
- Промышленные системы управления
Модуль CVM75AA80 подходит для замены в схемах, где требуются аналогичные параметры по току и напряжению. При замене рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики.
Если вам нужна дополнительная информация или datasheet, уточните производителя (Powerex, Mitsubishi или другой).