IGBT DDB6U100N16RR

Описание IGBT DDB6U100N16RR

DDB6U100N16RR — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с обратным диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, промышленных приводов и других высоковольтных приложений. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой температурной стабильностью и надежной конструкцией.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 100 А, 25°C) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.15 °C/Вт |
| Корпус | Module (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FF600R16ME4 (600 А, 1600 В)
• FF300R16ME4 (300 А, 1600 В)

Аналоги от Mitsubishi:

• CM100DY-24H (100 А, 1200 В)
• CM100DY-34H (100 А, 1700 В)

Аналоги от Fuji Electric:

• 2MBI100XB-160 (100 А, 1600 В)
• 2MBI100XB-170 (100 А, 1700 В)

Аналоги от Semikron:

• SKM100GB176D (100 А, 1700 В)
• SKM100GB128D (100 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Электроприводы
• Источники питания
• Установки для сварки
• Тяговая электроника (ЖД транспорт, электромобили)

Если нужны дополнительные параметры (графики, корпусные габариты и т. д.), уточните!