IGBT DF80R12W2H3F_B11

Описание IGBT модуля DF80R12W2H3F_B11

Производитель: Infineon Technologies
Тип: Двухканальный IGBT-модуль с обратным диодом (Dual IGBT Module with Anti-Parallel Diode)
Назначение: Применяется в мощных силовых преобразователях, инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Основные технические характеристики:

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 80 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 160 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при 80 А)
• Напряжение насыщения диода (V_F): ~1.7 В
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300 Вт (зависит от условий охлаждения)

Динамические параметры:

• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Время восстановления обратного диода (t_rr): ~100 нс

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: 62 мм (Industry Standard)
• Крепление: Винтовое (для радиатора)
• Изоляция: Полная электрическая изоляция (2500 В)

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Infineon (в зависимости от параметров):

• DF80R12W2H3 (базовая модель без суффикса)
• DF100R12W2H3 (100 А, аналогичный корпус)
• FF75R12RT4H3 (75 А, другой корпус)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM75DY-12H (75 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120 (100 А, 1200 В)
• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (100 А, 1200 В)

Примечание: Полная замена возможна только при совпадении электрических и механических характеристик.

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Электроприводы

Если требуется более точная информация, рекомендуется обратиться к официальному даташиту Infineon или дистрибьютору.