IGBT DH2F150N6S

IGBT DH2F150N6S: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT DH2F150N6S — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 150 A) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ... +175°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• STGW30H60DF (600 В, 60 А) — аналог с меньшим током
• IRG4PH50UD (600 В, 55 А) — аналог от Infineon
• FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А) — для более высоких напряжений
• IXGH48N60B3 (600 В, 48 А) — альтернатива от IXYS
• APT60GF60B2DG (600 В, 60 А) — аналог от Microsemi

Если требуется точная замена, рекомендуется учитывать параметры схемы и условия эксплуатации.

Нужны ли дополнения по применению или аналогам?