IGBT DM2G100SH6N

Описание IGBT DM2G100SH6N

DM2G100SH6N – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Этот компонент широко применяется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Сварочном оборудовании
• Промышленных приводах
• Импульсных источниках питания

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Встроенный ультрабыстрый антипараллельный диод

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|-------------------------------|
| Тип транзистора | N-IGBT с диодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) / 50 А (при 100°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 330 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.7 В (при 50 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 18 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 100 нс |
| Диод: прямое напряжение (V_F) | 1.5 В (при 50 А) |
| Диод: время восстановления (t_rr) | 60 нс |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

1. Infineon – IKW75N60T (600 В, 75 А, TO-247)
2. Fuji Electric – 2MBI100U6B-060 (600 В, 100 А, модуль)
3. ON Semiconductor – FGH60N60SMD (600 В, 60 А, TO-247)
4. STMicroelectronics – STGW60H60DF (600 В, 60 А, TO-247)

Совместимые модели в линейке Mitsubishi (серия NX):

• DM2G100SH6N (оригинал)
• DM2G75SH6N (75 А, 600 В)
• DM2G60SH6N (60 А, 600 В)

Примечания

• Для замены аналогами важно учитывать токовую нагрузку и тепловые параметры.
• Рекомендуется проверять разводку печатной платы, так как у аналогов могут отличаться цоколевка и характеристики затвора.

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальный DM2G100SH6N или его прямые аналоги с такими же V_CES и I_C.