IGBT DM2G75SH12A

IGBT DM2G75SH12A: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT DM2G75SH12A – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, инверторах, частотных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и высокой перегрузочной способностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT (с диодом обратного хода) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | До 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~180 нс | | Температурный диапазон | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (с теплопроводящей подложкой) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Infineon: FF75R12RT4, FF75R12KE3
• Mitsubishi: CM75DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Похожие модули от других производителей:

• IXYS: IXGH75N120
• STMicroelectronics: STGW75HF60WD

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна более точная информация по заменам, уточните условия эксплуатации (ток, частота, охлаждение).