IGBT F475R12KS4

Артикул: 297886
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT F475R12KS4
Описание IGBT модуля F475R12KS4
Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (Inverter Grade)
Назначение: Применяется в мощных преобразовательных системах, таких как:
- Промышленные частотные преобразователи
- Электроприводы
- ИБП (источники бесперебойного питания)
- Сварочное оборудование
- Солнечные инверторы
Основные технические характеристики
Электрические параметры:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC при 25°C): 475 А
- Ток коллектора (IC при 80°C): 300 А
- Импульсный ток коллектора (ICM): 950 А
- Мощность рассеивания (Ptot): 1800 Вт
- Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 2,1 В (при 475 А)
- Время включения (ton): 110 нс
- Время выключения (toff): 600 нс
- Ток утечки (ICES): ≤ 1 мА
- Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
Диодные характеристики:
- Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 475 А
- Импульсный ток (IFSM): 950 А
- Падение напряжения (VFM): 1,7 В
Механические характеристики:
- Корпус: модуль с изолированным основанием (Insulated)
- Монтаж: винтовое крепление
- Вес: ~200 г
- Термическое сопротивление (Rth(j-c)): 0,05 K/W
Совместимые модели и парт-номера
Аналоги от Infineon:
- FF475R12KT4 (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
- F4-75R12KS4 (устаревшая маркировка)
- FZ475R12KE3 (альтернатива с другим корпусом)
Аналоги от других производителей:
- Mitsubishi Electric: CM450DY-12NFH
- Fuji Electric: 2MBI450U4B-120
- SEMIKRON: SKM450GB12T4
Примечание
Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в управляющих цепях и тепловых параметрах.
Если нужна дополнительная информация (например, datasheet или схемы подключения), уточните!