IGBT FP06R12W1T4B3BOMA1EASY1B

Описание IGBT FP06R12W1T4B3BOMA1EASY1B

IGBT FP06R12W1T4B3BOMA1EASY1B – это высокоэффективный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (с обратным диодом) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 6 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 4 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 12 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,7 В |
| Время включения (t_on) | ~25 нс |
| Время выключения (t_off) | ~120 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 2,5 °C/Вт |
| Корпус | 23-контактный (TO-247 или аналогичный) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги (замены):

• Infineon: IKW06N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH6N120SFD
• STMicroelectronics: STGW6NC120HD
• Mitsubishi: CM600DY-12NF

Совместимые модули:

• FP10R12W1T4
• FP15R12W1T4
• FP20R12W1T4 (аналоги с большим током)

Данный IGBT-модуль применяется в схемах управления электродвигателями, импульсных источниках питания и промышленных инверторах. При замене рекомендуется проверять характеристики и конфигурацию выводов.

Если нужны дополнительные данные по аналогам или схемам применения – уточняйте!