IGBT fp10r06kl4

IGBT FP10R06KL4: Описание и технические характеристики

Описание

FP10R06KL4 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и хорошей термостабильностью.

Основные характеристики

• Тип: IGBT + диод (NPT-технология)
• Класс напряжения: 600 В
• Ток коллектора (IC @ 25°C): 20 А
• Ток коллектора (IC @ 100°C): 10 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): 40 А
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1,7 В (тип.)
• Энергия переключения (Eon / Eoff): низкая
• Скорость переключения: высокая
• Корпус: TO-247 (3-выводной)
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0,75 °C/Вт

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полная совместимость)

• Infineon: FP10R06KL4 (оригинал)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA20N60 (аналог)
• STMicroelectronics: STGW20NC60V (аналог)
• IR (Infineon): IRG4PC50UD (аналог)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы)

• IRG4PH50UD (600 В, 23 А)
• H20R1202 (1200 В, но может использоваться в некоторых схемах)
• FGH40N60 (более мощный, но сходные параметры)

Применение

• Инверторы для электродвигателей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Системы управления мощностью

Модуль FP10R06KL4 является надежным решением для среднемощных преобразовательных систем. При замене на аналог важно учитывать параметры напряжения, тока и тепловые характеристики.