IGBT FP35R12KT4_B11

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FP35R12KT4_B11
Описание IGBT модуля FP35R12KT4_B11
FP35R12KT4_B11 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для использования в импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных системах.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 35 А (при 80°C) | | Ток коллектора (IC) (макс.) | 70 А (импульсный) | | Мощность потерь (Ptot) | 190 Вт (при Tc = 25°C) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения (ton) | 52 нс | | Время выключения (toff) | 220 нс | | Диод обратного восстановления (trr) | 120 нс | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 K/Вт | | Рабочая температура (Tj) | -40°C … +175°C | | Корпус | 38 мм (EASY1B) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги Infineon:
- FP35R12KT4 (базовая версия без суффикса B11)
- FP35R12KT3 (предыдущее поколение, с другими параметрами)
- FP35R12W2T4 (альтернативная модель с другим корпусом)
Аналоги других производителей:
- Mitsubishi: CM35TF-12S
- Fuji: 2MBI35N-120
- SEMIKRON: SKM35GB12T4
Совместимые модули (по характеристикам):
- IRG4PH40UD (International Rectifier)
- STGW35HF120W (STMicroelectronics)
Применение
- Частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Электроприводы и сервосистемы
Модуль FP35R12KT4_B11 отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его популярным в промышленных и энергетических приложениях.