IGBT FP50R07N2E4B11

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FP50R07N2E4B11
Описание IGBT FP50R07N2E4B11
FP50R07N2E4B11 — это IGBT-модуль с обратным диодом (NPT IGBT + EmCon™ Diode) от Infineon Technologies. Модуль предназначен для мощных инверторных приложений, таких как промышленные приводы, сварочные аппараты, источники бесперебойного питания (ИБП) и другие силовые электронные системы.
Ключевые особенности:
- Высокая эффективность и надежность
- Низкие динамические потери
- Встроенный свободно-колеблющий диод (EmCon™)
- Гальваническая изоляция между чипами и основанием
- Корпус EconoPACK™ 2 (EASY2B)
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------|---------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 650 В | | Ток коллектора (IC) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC) | 30 А (при 100°C) | | Ток импульсный (ICM) | 100 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Диодный ток (IF) | 50 А | | Прямое падение диода (VF) | 1,85 В (тип.) | | Мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 К/Вт | | Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | EconoPACK™ 2 (EASY2B) | | Вес | ~90 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Infineon:
- FP50R06N2E4B11 (600 В, 50 А)
- FP50R08N2E4B11 (800 В, 50 А)
- FP50R12N2E4B11 (1200 В, 50 А)
Аналоги от других производителей:
- STGW50HF60WD (STMicroelectronics)
- MG50Q6ES40 (Mitsubishi Electric)
- CM50DY-24H (Powerex)
Совместимые модули в том же корпусе (EconoPACK™ 2):
- FF50R07N2E4B11 (Fast IGBT)
- FP35R12N2E4B11 (35 А, 1200 В)
- FP75R12N2E4B11 (75 А, 1200 В)
Применение
- Промышленные преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- ИБП и солнечные инверторы
- Электроприводы
Модуль FP50R07N2E4B11 обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых приложениях, а его аналоговые варианты позволяют подобрать замену с учетом требуемых параметров.