IGBT FP75R120KT3

Описание IGBT FP75R120KT3

FP75R120KT3 — это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных преобразователей, инверторов и импульсных источников питания. Модуль сочетает в себе высокое напряжение, низкие потери проводимости и переключения, а также встроенный антипараллельный диод.

Технические характеристики

• Тип модуля: IGBT + диод (NPT-технология)
• Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 75 А
• Макс. ток коллектора (I_C при 80°C): 150 А (импульсный)
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 2,1 В (при 75 А)
• Встроенный диод:
  • Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
  • Прямое напряжение (V_F): 1,7 В (при 75 А)
• Габариты (Д×Ш×В): 62 × 34 × 12 мм
• Корпус: 62mm
• Вес: ~190 г
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FP75R12KT3 (устаревшая версия)
• FP75R12KE3 (более новая версия с улучшенными характеристиками)
• FP75R12W2T4 (альтернатива с другим корпусом)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модули в других корпусах:

• IRG7PH35UD1 (International Rectifier)
• STGW75HF60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется уточнить параметры схемы и условия эксплуатации.