IGBT G11N20

Описание IGBT G11N20

IGBT G11N20 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных и силовых электронных устройствах. Основные сферы использования:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Промышленные и бытовые электроприборы

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод (в некоторых модификациях)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 11 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 7 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 22 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.5–2.0 В |
| Время включения (t_on) | 30–50 нс |
| Время выключения (t_off) | 100–150 нс |
| Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50–70 Вт |
| Корпус | TO-220, TO-220F (изолированный) |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC20U (International Rectifier)
• H20R1202 (Fairchild/ON Semi)
• STGW20NC60V (STMicroelectronics)
• FGA20N120ANTD (Fairchild)
• IXGH20N120 (IXYS)

Совместимые модели с близкими параметрами:

• G11N15 (150 В, 11 А)
• G11N30 (300 В, 11 А)
• G10N20 (200 В, 10 А)
• G15N20 (200 В, 15 А)

Примечание

Рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя перед заменой, так как у аналогов могут быть отличия в:

• Напряжении насыщения (V_CE(sat))
• Времени переключения
• Наличии встроенного диода

Если известен производитель (Infineon, Toshiba, Mitsubishi и т. д.), можно уточнить полное наименование (например, IRG4PC20UDPBF).