IGBT G50N60

Описание IGBT G50N60

G50N60 — это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT) на напряжение 600 В и ток 50 А, разработанный для высокоэффективных преобразователей энергии. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные преимущества:

• Низкие потери при переключении
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | до 100 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при 25 А, 25°C) | | Потребляемая мощность (P_tot) | до 300 Вт | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналог) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Epitaxial Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60 (Microsemi)
• IXGH50N60 (IXYS/Littelfuse)

Близкие по характеристикам:

• G40N60 (40A, 600V)
• G60N60 (60A, 600V)

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите, особенно параметры встроенного диода и динамические характеристики (например, скорость переключения).

Если нужны точные аналоги для конкретного производителя, укажите его — подберу замену точнее.