IGBT G60N100

Описание IGBT G60N100

G60N100 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Компонент обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам, что делает его популярным в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления электродвигателями и сварочном оборудовании.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C): 60 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 120 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.5 В (при I_C = 60 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• G60N100 (базовая модель)
• G60N100BN (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги:

1. IRG4PH50U (International Rectifier) – 1000 В, 55 А
2. FGA60N100S (Fairchild/ON Semiconductor) – 1000 В, 60 А
3. HGTG30N60A4D (Infineon) – 600 В, 75 А (частичная замена в низковольтных схемах)
4. STGW60H100DF (STMicroelectronics) – 1000 В, 60 А

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному применению или корпусному исполнению, уточните детали!