IGBT G80N60UFD

Описание IGBT G80N60UFD

G80N60UFD — это изолированный затвором биполярный транзистор (IGBT) с номинальным напряжением 600 В и током 80 А, разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения.
• Быстрое переключение и высокая устойчивость к перегрузкам.
• Встроенный антипараллельный диод (FRD) для обратного тока.
• Корпус TO-247, обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 160 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Потери при переключении (E_on/E_off) | низкие |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. IRG4PC50UDPBF (International Rectifier) – 600 В, 55 А (возможна замена при меньших нагрузках).
2. FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi) – 650 В, 60 А.
3. IXGH80N60B3D1 (IXYS/Littelfuse) – 600 В, 80 А.
4. STGW80H65DFB (STMicroelectronics) – 650 В, 80 А.
5. HGTG80N60B3 (Microsemi) – 600 В, 80 А.

Парт-номера производителя (если известны):

• G80N60UFD (основной номер).
• Возможны вариации с суффиксами (например, G80N60UFD-xxx) в зависимости от производителя.

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи.
• Сварочное оборудование.
• Импульсные блоки питания (SMPS).
• Управление электродвигателями.

Примечание

Перед заменой проверяйте характеристики, особенно параметры V_CES, I_C и наличие встроенного диода. Для точного аналога рекомендуется использовать datasheet.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или параметры диода), уточните!